Tag: sic mosfet

Diese Seite zeigt Artikel zu diesem Tag: sic mosfet

Wie verbessert SPICE die Systemsimulation? IPOSIM kombiniert präzise Halbleitermodelle mit schneller Analyse für kürzere Entwicklungszeiten.

Wie IPOSIM die Leistungselektronik-Entwicklung beschleunigt

SPICE-basierte Modelle erweitern IPOSIM um eine realitätsnahe Systemsimulation für die Leistungs-elektronik. Entwickler können Schaltverluste, thermisches Verhalten und Bauteilauswahl bereits in frühen Entwicklungsphasen präziser analysieren und Entwicklungszeiten verkürzen.

Paul Sochor

2. August 2026

1700-V-SiC-MOSFETs lassen sich vom Watt- bis zum Megawattbereich einsetzen. Mit hohen Schaltfrequenzen und einfacheren Schaltungsdesigns eröffnen sie Leistungselektronik-Entwicklern ganz neue Möglichkeiten.

Mit SiC von Watt zu Megawatt

Evolution der Leistungswandlung mit 1700-V-SiC-MOSFETs

In der Welt der Leistungselektronik gilt: Größer ist nie besser. Dies gilt vor allem für Hochvoltsysteme, bei denen die Konstrukteure nach besserer Halbleitertechnologie suchen. mit 1700-V-SiC-MOSFETs stehen Entwicklern nun ganz neue Wege offen.

Xuning Zhang und Kevin Speer

19. Oktober 2022